REM-Analyse (Rasterelektronenmikroskopie)

Die REM-Analyse ist ein hochauflösendes optisches Verfahren zur Oberflächenanalytik von festen Proben. Die REM-Analyse wird häufig zur Werkstoffuntersuchung und Schadensanalyse angewendet. Mithilfe der Methode der Rasterelektronenmikroskopie (REM) bzw. Scanning Electron Microscope (SEM) kann die Oberfläche einer Probe auf Verunreinigungen, Korrosion bzw. Oxidation sowie kleinste Schäden untersucht werden. Ebenso können Mikrostrukturen, Beschichtungen und elektrische Kontakte mit höchster Auflösung untersucht werden.

 

Die Darstellung der Ergebnisse kann grafisch und tabellarisch sowie bildlich und ortsaufgelöst erfolgen, sodass die Struktur der Oberfläche bzw. Beschichtung im Detail zu erkennen ist. Dank der sehr kurzen Wellenlänge des Elektronenstrahls ist eine Darstellung von Strukturen bis 0,1 nm mittels Elektonenmikroskopie möglich.

Seit über 30 Jahren bietet Ihnen SemiSol anwendungsbezogene Lösungen für Ihre Messungen und Analysen. Wir arbeiten präzise, schnell und kosteneffizient. Für unsere nationalen und internationalen Kunden führen wir fachkundig eine Vielzahl unterschiedlicher Oberflächen- und Festkörperanalysen durch. In den Bereichen Forschung und Entwicklung unterstützen wir unsere Kunden zudem bei speziellen Analysefragen. Gerne beraten wir Sie zur Rasterelektronenmikroskopie und ermitteln bei weitergehenden Fragestellungen das Verfahren, das für Ihre Anforderungen am besten geeignet ist.

Anwendungsgebiete der Rasterelektronenmikroskopie

  • Oberflächenanalyse fester Proben mit sehr hoher Auflösung
  • Untersuchung der Qualität von elektronischen Bauteilen und Kontakten
  • Mikrostruktur-, Partikel-, Schadens-, Bruchflächen- und Verschleißanalysen
  • Überprüfung der Fertigungsqualität
  • Mikroskopische Analyse und Dokumentation von Bauteil- bzw. Verarbeitungsfehlern
  • Detektion von Fremdphasen (Verunreinigungen, Einschlüsse, intermetallische Phasen)
  • Erkennung von Mikrorissen (und deren Fortschritt), Diffusionsprozessen und Whiskern
  • Untersuchung des Schicht-Aufbaus bei elektronischen Bauteilen, Anschlüssen und Leiterplatten
  • 2D- und 3D-Darstellung von Proben-Oberflächen
  • Materialidentifikation, Bestimmung der chemischen Zusammensetzung der Oberfläche sowie Konzentrationsbestimmung (i.V.m. EDX / EDS)

Ablauf des Verfahrens und Kombination von REM und EDX zur REM-EDX-Analyse

Seit Manfred von Ardenne Ende der 1930er Jahre das erste funktionsfähige Rasterelektronenmikroskop baute, hat sich die bewährte Technik immer weiter entwickelt. Das Prinzip der Raster-Elektronen-Mikroskopie blieb dabei grundsätzlich gleich: Im Rasterelektronenmikroskop wird die Probe im Vakuum durch einen fokussierten Strahl von Elektronen angeregt. Dabei wird ein Elektronenstrahl in einem bestimmten Muster (Raster) über das zu untersuchende Objekt geführt.

 

Die Elektronen verursachen Wechselwirkungen mit den Elementen der Probenoberfläche und erzeugen dadurch verschiedene Strahlungen im Elektronenmikroskop. Diese Wechselwirkungen der Elektronen mit der Oberfläche der Probe werden zur Erzeugung eines Abbildung genutzt.

Arten von Elektronen und Streuungen

Im Elektronenmikroskop gibt es zwei Arten, wie die Elektronen nach der Bestrahlung von den Proben-Flächen gestreut werden:

  • Elastische Streuung: Die Elektronen werden von der Probenoberfläche abgelenkt. Dabei werden sie nur aus ihrer Bahn gelenkt, ohne kinetische Energie zu verlieren. Diese Streuung ist für den Kontrast der Aufnahme von entscheidender Bedeutung.
  • Inelastische Streuung: Die Elektronen werden abgelenkt, wobei jedes Elektron einen Teil seiner kinetischen Energie an die Atome der Probe abgibt. Der Winkel, in dem diese Sekundärelektronen (s.u.) abgespalten werden, ist charakteristisch und kann im Rasterelektronenmikroskop optisch dargestellt werden.

In der REM-Analyse werden dabei zwei verschiedene Arten von Elektronen genutzt: 

  • Sekundärelektronen (Secondary Electrons, SE) ermöglichen die Analyse und dreidimensionale Darstellung von Topografien.
  • Mittels Rückstreuelektronen (Back-Scattered Electrons, BSE) können Material-Kontraste erfasst werden. Die Materialzusammensetzung wird in verschiedenen Graustufen ausgegeben – je höher die Masse der Atome, desto heller wird der Bereich dargestellt. 

Kombination von REM und EDX zur REM-EDX-Analyse

Durch den Eintrag von Elektronen und die daraus resultierende Wechselwirkung erzeugt jedes chemische Element auf der Probe eine charakteristische Röntgenstrahlung. Diese werden mittels EDX-Detektor erfasst. Das Verfahren der Energiedispersiven Röntgenanalyse (EDX-Analyse bzw. Energiedispersive Röntgenspektroskopie, EDS) dient der qualitativen und quantitativen Untersuchung einer Probe. Dadurch kann die chemische Zusammensetzung der Probe festgestellt werden, sowohl für einzelne Punkte als auch für Linien oder großflächige Bereiche über ein ausgewähltes Areal. Zusätzlich kann die Verteilung der Elemente mittels Falschfarbendarstellung  visualisiert werden.

 

Nahezu jedes Rasterelektronenmikroskop (REM) lässt sich mit EDX-Detektoren und der notwendigen Software ausstatten. Die Rasterelektronenmikroskopie (REM) in Kombination mit dem EDX-System ist ein unverzichtbares Verfahren zur Charakterisierung von Oberflächen- und Probenbeschaffenheit sowie zur Analyse der chemischen Zusammensetzung. Bei Semisol kombinieren wir standardmäßig die REM-EDX-Analyse, um verlässliche Antworten auf zahlreiche unterschiedliche Fragestellungen zu liefern.

Aufbereitung der Proben für die SEM Untersuchung

Bevor ein Objekt mittels Rasterelektronenmikroskopie untersucht werden kann, muss es für die Analyse aufbereitet werden. Die Messung kann für alle festen Materialien durchgeführt werden, die trocken, Vakuum-stabil und elektrisch leitfähig sind. Um dies zu erreichen, muss die Probe ggf. vor der Rasterung mit dem Elektronenstrahl vorbereitet werden. Im Bedarfsfall wird die Probe dazu mittels Gold oder Kohlenstoff bedampft. Danach können sie mittels Rasterelektronenmikroskopie untersucht werden.

Vorteile der REM Untersuchung im spezialisierten Labor

  • Zerstörungsfreies Verfahren durch Abtastung der Probe mittels Elektronenstrahl
  • Aufnahmen mit einem enormen Vergrößerungsfaktor (bis zu 100.000)
  • Äußerst hohe Bildqualität und Schärfentiefe
  • Analyse und Dokumentation von Strukturen und Verläufen im Nanometer-Bereich
  • Aufdecken selbst geringster Schwachstellen und Verarbeitungsfehler und genaue Lokalisierung
  • Genaue Abbildung der Topografie der Oberfläche der untersuchten Probe
  • Als REM-EDX-Analyse: Analyse der vorhandenen chemischen Elemente (Zusammensetzung und Menge) und Bestimmung, wo genau sich welches chemische Element auf der Probenoberfläche befindet (Element-Mapping)
  • REM EDX ist ein sehr schnelles Verfahren dank simultaner Messung des gesamten Röntgen-Spektrums (gleichzeitige Analyse aller nachweisbaren chemischen Elemente)
  • In Kombination von REM Untersuchung und EDX: Bestimmung des Alters von Bauteilen, Aufdecken von Schäden durch Korrosion, Oxidation oder Schadstoffe, Untersuchung des Diffusionsfortschritts (z.B. zwischen Zinn- und Kupfer-Schichten an Pins)

SemiSol bietet für jede Fragestellung das richtige Verfahren


Neben der REM-Analyse bzw. REM-EDX-Analyse bietet SemiSol weitere Verfahren zur Oberflächenanalyse wie bspw. die TXRF-Analyse oder die ICP-MS Analyse. Je nach Fragestellung wählen wir mit Ihnen zusammen die geeignete Methode aus und liefern Ihnen innerhalb kürzester Zeit ausführliche Ergebnisse. Auch für schwierige und komplexe Probleme finden wir eine Lösung, die aussagekräftige Ergebnisse liefert und dabei im Zeit- und Kostenrahmen bleibt. Kontaktieren Sie uns für ein Beratungsgespräch – wir freuen uns darauf, Ihr Unternehmen mit unseren zielführenden Analytik-Lösungen voranzubringen.

Weitere Oberflächenanalysen

Schauen Sie sich weitere Analyseverfahren an. Gerne ermitteln wir, welche Methode für Ihre Fragestellung am besten geeignet ist.

ICP-MS Analyse

EDX Analyse

TXRF Analyse

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